コンテンツへスキップ
ビーム株式会社
メインメニュー
ニュース・展示会
会社情報
問い合わせ・アクセス
製品別
メニュートグル
Menu Item
レーザー発振器
フェムト秒レーザー
ピコ秒レーザー
ナノ秒レーザー
エキシマレーザー
TEA CO2 レーザー
レーザー微細加工装置
極短パルスレーザー搭載微細加工
フェムト秒レーザー搭載微細加工
ファイバーレーザー搭載微細加工
エキシマレーザー搭載微細加工
TEA CO2レーザー搭載加工
露光装置
UV LEDマスク露光装置
レーザー描画露光装置
高精細3D光造形装置
レーザー精密切断・精密溶接装置
4軸チューブ切断装置
プローブカード加工装置
ワイヤー関連装置
導通検査装置
ワイヤーマーキング装置
ワイヤー被膜剥離装置
分光器・エタロン
分光器
エタロン
次世代技術開発装置
EUV/軟X線
レーザーアブレーション成膜装置(PLD)
アプリケーション
メニュートグル
Menu Item
自動車産業
航空宇宙産業
情報通信産業
研究・開発
精密機械部品産業
半導体産業
電子部品産業
医療部品・バイオメディカル産業
メーカー
メニュートグル
Menu Item
フェムティカ
スペクトラムテクノロジー
サザンフォトニクス
クロエ
オプテック
オプティタスク
TSST
MKテストシステムズ
LLT
LLG
K-Jet
DFM
Civan
ライトマシナリー
エッジウェーブ社
エムレイズ
試作加工
検索:
製品別
メニュートグル
Menu Item
レーザー発振器
フェムト秒レーザー
ピコ秒レーザー
ナノ秒レーザー
エキシマレーザー
TEA CO2 レーザー
レーザー微細加工装置
極短パルスレーザー搭載微細加工
フェムト秒レーザー搭載微細加工
ファイバーレーザー搭載微細加工
エキシマレーザー搭載微細加工
TEA CO2レーザー搭載加工
露光装置
UV LEDマスク露光装置
レーザー描画露光装置
高精細3D光造形装置
レーザー精密切断・精密溶接装置
4軸チューブ切断装置
プローブカード加工装置
ワイヤー関連装置
導通検査装置
ワイヤーマーキング装置
ワイヤー被膜剥離装置
分光器・エタロン
分光器
エタロン
次世代技術開発装置
EUV/軟X線
レーザーアブレーション成膜装置(PLD)
アプリケーション
メニュートグル
Menu Item
自動車産業
航空宇宙産業
情報通信産業
研究・開発
精密機械部品産業
半導体産業
電子部品産業
医療部品・バイオメディカル産業
メーカー
メニュートグル
Menu Item
フェムティカ
スペクトラムテクノロジー
サザンフォトニクス
クロエ
オプテック
オプティタスク
TSST
MKテストシステムズ
LLT
LLG
K-Jet
DFM
Civan
ライトマシナリー
エッジウェーブ社
エムレイズ
試作加工
TSST社製PLD
ホーム
/
製品一覧
/
メーカー別
/
TSST
/ TSST社製PLD
TSST社製PLD
パルスレーザーアブレーション製膜装置
レーザー光を数回ターゲットに照射、 物質をアブレーションさせて対向位置に配置された基板に 材料を堆積させ薄膜を生成する超高真空PLDシステム装置。
問い合わせ
カタログ(英語)
カテゴリー:
TSST
,
メーカー別
,
レーザーアブレーション成膜装置(PLD)
説明
追加情報
特長
最高品質の複合材料薄膜成型
RHEEDによる単一単層成長制御
到達真空度5.0×10 mbar以下
基板加熱温度1000℃以上
6種類のターゲットが追加可能
装置概要および仕様
https://www.tsstsystems.com/systems/advanced-pulsed-laser-deposition-with-rheed/
https://www.tsstsystems.com/systems/pulsed-laser-deposition-for-thin-film-growth/
PLDについて :
https://www.tsstsystems.com/research/pld/
研究プロジェクト :
https://www.tsstsystems.com/research/research-projects/
TSST研究 :
https://www.tsstsystems.com/research/tsst-research/
PLD科学 :
https://www.tsstsystems.com/research/pld-scientific-output/
最近の納入実績 :
https://www.tsstsystems.com/references/recent-installations/
LightMachinery社製
搭載エキシマレーザー
エキシマレーザーIPEX-840
波長:248nm(KrF)
最大パルスエネルギー:450mJ
最大繰り返し周波数:200Hz
最大平均出力:80W
ビームサイズ:12x26mm
寸法(架台込):1,746x864x508mm
冷却方式:水冷式
バキュームチャンバー
チャンバー形状 : 円柱形
到達真空度 : 10 mbar、5.0×10̠ 以下
主排気:ターボ(700L/s)、TSP*、イオンゲッター*
ベークアウト*:ヒートテープ、ベークアウトテント
プロセスガス:O₂、Ar、N₂、O₃*オートアップ/ダウン圧力制御
ヒーターステージ
最高加熱温度:<1,000℃
基板サイズ:<1インチ、<2インチ*
移動機構:X、Y、Z、傾斜、方位角 シャッター
ターゲットステージ
移動機構:X、Y、Z、スキャニングステージ、回転機構*
ターゲット数 : <6個
ターゲットサイズ:1インチ、2インチ*
高圧力RHEED
電子銃:30kV
プロセス圧力:<0.5mbar
ロードロック
主排気:ターボ(70L/s)
到達真空度 : 10 mbar
制御系
TSSTコントロールシステム
(成膜レシピ、パラメーターログを含む)
光学系
スポットサイズ:1.0~3.0mm²
サプライヤー
TSST