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ピコ秒パルスレーザー
エッジウェーブ社
PX シリーズ最大平均出力600W
最大パルスエネルギー2000μJ
最大繰り返し周波数100MHzEdgeWaveピコ秒パルスレーザーは、独自のINNOSLABテクノロジーを用いたパルス幅12psの高出力、高繰り返しが特長の固体レーザーです。
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ナノ秒パルスレーザー
エッジウェーブ社
GX シリーズ最大平均出力800W
最大パルスエネルギー120mJ
最大繰り返し周波数100KHzGXシリーズは、INNOSLABレーザーとしては最大出力域のモデルで、
最大800W、最大パルスエネルギー120mJです。
ヘッドサイズはL675×W350×H150mmと非常にコンパクトです。 -
フェムト秒パルスレーザー
エッジウェーブ社
FX シリーズ最大平均出力600W
最大パルスエネルギー3000μJ
最大繰り返し周波数50MHz独自のINNOSLABテクノロジーを用いたダイオード励起のQスイッチ固体レーザーです。標準パルス幅 400-300fs アンプ一体型で、ヘッドサイズL650 x W298 x H150mm と非常にコンパクトです。
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産業用TEA-CO² レーザー Impact 2000 シリーズ
TEA CO2 レーザー最大平均出力75W
最大パルスエネルギー5J
最大繰り返し周波数500HzIMPACT 2000 は主として非金属の精密加工用に設計されています。 特に穴あけ加工はこのレーザの典型的な応用分野です。INPACT2000の特長は、下の金属層にダメージを与えずにその上の非金属層に貫通穴を開けることができることです。これはプリント基板の穴あけ、ワイヤーの被覆/エナメル除去、モールドクリーニングなどの応用に対して非常に効果的です。高電圧のスイッチングには高い信頼性のSSMスイッチテクノロジーを採用し、生産ラインの運転にも対応しているほか、安定した高いパルスエネルギーを利用して超音波非破壊検査用の光源としても用いられています。
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高出力産業用
TEA CO2 レーザー
TEA-CO²レーザー
Impact 3000 シリーズ最大平均出力300W
最大パルスエネルギー3J
最大繰り返し周波数400HzIMPACT 3000シリーズは表面レイヤーの除去やクリーニング、非破壊検査、そして光化学などの分野で利用する高出力(最大300W)短パルスCO2レーザーです。ペイント剥離、金型クリーニング、同位体分離や遠隔検知/LIDERなど多様な分野で活用することができます。
パルス繰り返しが最も高いモデル (3400) では、レーザー超音波検査用の光源用として利用されます。
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9.2~10.8μm波長選択可能
TEA CO2 レーザー
Impact 4000 シリーズ最大平均出力60W
最大パルスエネルギー5J
最大繰り返し周波数150HzIMPACT 4000 は IMPACT 2000 をベースにR&D用途から工業用途まで対応しています。高電圧のスイッチングには、速度の速いサイラトロンを使用しており、TEA CO2レーザーとしては極端に短いパルス幅(100ns前後)を達成しました。オプションには、9.2~10.8μmの間のCO2発振線から波長を選択できるグレーティング、ビーム品質に優れたTEM00モード化も用意されています。
数台のIMPACT4000を直列に並べて、1台をTEM00オシレーターとして2台目以降をアンプとして高出力を得るMOPA(Master-Oscillator / Power Amplifier)の御相談も承ります。
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Dilase 250
クロエレーザー直描露光装置
Dilase250は、Dilaseシリーズのエントリーモデルとして開発されたコンパクトな卓上型レーザー直描露光装置です。375nmまたは405nmのUVレーザーを搭載し、4インチまでの基板サイズに対応します。2μmの最小スポット径と50mm/sのスキャン速度で微細なパターン露光を行う事ができます。
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Dilase 650
クロエレーザー直描露光装置
Dilase650は、Dilaseシリーズのミドルモデルとして開発されたコンパクトなレーザー直描露光装置です。375nmまたは405nmのUVレーザーを搭載し、6インチまでの基板サイズに対応します。最小ビームスポット径1μmとスキャン速度500mm/sで、微細なパターン露光をより短時間で行う事ができます。
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Dilase シリーズ
クロエレーザー直描露光装置
高アスペクト直描露光レーザー直描露光装置. マスクレス、グレースケール露光、最小スポット径0.5μm. 高アスペクト比最大 1:50、長焦点深度による3次元構造物.
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Dilase 750
クロエカスタマイズ可能レーザー直描露光装置
Dilase750は、Dilaseシリーズの最高峰モデルとして開発された高性能なレーザー直描露光装置です。325nm,375nmまたは405nmのUVレーザーを搭載し、最大12インチまでの基板サイズに対応します。0.5μmの最小スポット径と500mm/sのスキャン速度で高度なマイクロデバイスの開発・作成を応援します。